SJ 50597.18-1994 半导体集成电路.JT54LS33型LS-TTL四2输入或非门(OC)详细规范
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ID： |
FC083B1B31B44BD9B9FFE65B69001878 |
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文件大小(MB)： |
0.62 |
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页数： |
15 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5962 SJ 50597/18-94,半导体集成电路,JT54LS33 型 LS—TTL U1 2输入或,非门(OC)详细规范,Semiconductor integrated circuits,Detail specification for type JT54LS33 LS一TTL,quadruple 2-input NOR gates with open—collector outputs,1994-09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体集成电路,JT54LS33型LS-TTL四2输入或,非门(OC)详细规范,Semiconductor integrated circuits,Detail specification for type JvT54LS33 LS-TTL,quadruple 2-input NOR gates with open-collector outputs,SJ 50597ハ8—94,1范围,1.I主题内容,本规范规定了半导体集成电路JT54LS33型LS-TTL四2输入或非门(OC)(以下简称器,件》的详细要求,1-2适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3分类,本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式分类ー,1.3-1器件编号,器件编号应按GJB 597《微电路总规范》第3. 6. 2条的规定.,1-3-1-1器件型号,器件型号如下:,器件型号器件名称,. JT54LS33 四2输入或非门(OC),1.3-1.2器件等级,器件等级应为GJB 597第3. 4条所规定的B级和本规范规定的级,1-3-1.3封装形式,封装形式按GB 7092《半导体集成电路外形尺寸》的规定,封装形式如下;,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01 实施,1 —,SJ 50597/18-9^1,类型外形代号,C C勿PM陶瓷无引线片式载体封装）,D D16§3（陶逾双列封装）,F F16X2（陶獵扁平封装）,H H16X2（陶蹙熔封扁平封装）,J J16S3（陶蜜熔封双列封装） ",1.4绝对最大额定值,绝对最大额定值如下:,项 目符 号,数 值-,单 位,最 小最 大,电源电压噎— 0.5 7,0 V,输入电压% -1.5 7.0 V,贮存温度厶-65 150 ,c,功耗1' 凡— 97 mW ,引线耐焊接温度（1OS） 7; 300 C,结温” ’ハ175 ,C,注」〉器件应能经受测试输出短路电流（/欧）时所增加的功耗,2）除按GJB 54网微电子器件试验方法和程序か方法5004老化筛选条件外,不得超过最大结温,1-5推荐工作条件,推荐工作条件如下I,项 目符 号,Lt，- 数值,单 位,最 小最 大,电源电压Vcc ム5 5.5 V,输入高电平电压yIH 2- 0 V,输入低电平电压-- 0.7 V,输出低电平电流『は, — 12 mA,工作环境温度Ta -55 125 C,2弓［用文件,GB 3431. 1—82,GB 3431. 2—86,GB 3439-82,GB 4590—84,GB 4728.12—85,GB/T 7092—93,半导体集成电路文字符号电参数文字符号,半导体集成电路文字符号引出端功能符号,半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理,半导体集成电路机械和气候试验方法,电气图用图形符号二进制逻辑单元,半导体集成电路外形尺寸,—"2 "",SJ 50597/18-94,GJB 548-88 微电子器件试验方法和程序,GJB 597—88 微电路总规范,GJB 1649—93 电子产品防解电放电控制大纲,3要求,3.1详细要求,各项要求应按GJB 597和本规范的规定,本规范规定的Bi级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某些项目和,要求不同于B级器件,3-2设计、结构和外形尺寸,设计、结构和外形尺寸按GJB 579和本规范的规定.,3. 2.!逻辑符号、逻辑图和引出端排列,逻辑符号、逻辑图和引出端排列应符合图1的规定。逻辑符号、逻辑图符合GB 4728. 12,的规定.引出端排列为俯视图,⑴型）,逻辑图（1/4）,:zQ-ゝ,（C型）,（INI>,图1逻辑符号、逻辑图和引出端排列,注;F、H、J型封装的引出端排列同口型封装,3-2-2功能表,功能表如下:,a. JT54LS33,SJ 50597/18-94,输 入输 出,A B Y,L L H,H L L,L H L,H H L,H 丒高电平L.低电平.,3. 2-3电路图,制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构。各制造厂的电路图由鉴定机构存档备査.,3.2.4封装形式,封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定,3.3 引线材料和徐覆,3.4 电特性,电特性应符合表!的规定,表! JT54LS33电符性,特 性符号,条 件?,（若无其他规定,一55近アへ式125匕,规范值,单位,最小最大,输岀高电平电压/tXOFFl,匕!: = 4+ 5V?7o=5. 5V,匕l = 0. 7VMh = 2. OV,— 250 a,输出低电平电压Vol,4r 5V JoL = 12mA,Vn=O. 7V,Vth = 2,OV,1- 0.4 V,输入钳位电压y球,Kce啓丒 5V?/iK= - 18tnA,へ=25 C,r…一-1.5 V,输入高电平电流厶H Vpc =5, 5V, Vi =2. 7V — 20 ドA,最大输入电压下的输……
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